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SI7909DN-T1-GE3

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品番
SI7909DN-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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品番
SI7909DN-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
2 P-Channel (Dual)
FET機能
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
12V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
5.3A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
37 mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1V @ 700µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
24nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
-
パワー-最大
1.3W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
PowerPAK® 1212-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® 1212-8 Dual

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