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TPN1600ANH,L1Q

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品番
TPN1600ANH,L1Q
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$0.21000
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品番
TPN1600ANH,L1Q
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
17A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
16 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 200µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
19nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1600pF @ 50V
FET機能
-
消費電力(最大)
700mW (Ta), 42W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-TSON Advance (3.3x3.3)
パッケージ/ケース
8-PowerVDFN

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