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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル GP1M009A060H

GP1M009A060H

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品番
GP1M009A060H
メーカー
Global Power Technologies Group, Inc.
説明
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
GP1M009A060H.pdf
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品番
GP1M009A060H
メーカー
Global Power Technologies Group, Inc.
説明
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
1 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
27nC @ 10V
Vgs（最大）
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1440pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
158W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220
パッケージ/ケース
TO-220-3

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