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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル FCA20N60-F109

FCA20N60-F109

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品番
FCA20N60-F109
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$2.69962
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$2.69962

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品番
FCA20N60-F109
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
部品ステータス
Not For New Designs
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
20A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
98nC @ 10V
Vgs（最大）
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
3080pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
208W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-3PN
パッケージ/ケース
TO-3P-3, SC-65-3

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