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1N5402G R0G

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品番
1N5402G R0G
メーカー
Taiwan Semiconductor
説明
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
1N5402G R0G.pdf
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品番
1N5402G R0G
メーカー
Taiwan Semiconductor
説明
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
部品ステータス
Active
ダイオードタイプ
Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
200V
電流-平均整流(Io)
3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
1V @ 3A
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr)
-
電流-Vrでの逆漏れ
5µA @ 200V
静電容量@ Vr、F
25pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
DO-201AD, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ
DO-201AD
動作温度-ジャンクション
-55°C ~ 150°C

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