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STGW30M65DF2

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品番
STGW30M65DF2
メーカー
STMicroelectronics
説明
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
STGW30M65DF2.pdf
合計:$3.75000
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$3.75000

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品番
STGW30M65DF2
メーカー
STMicroelectronics
説明
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
部品ステータス
Active
IGBTタイプ
Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大)
650V
電流-コレクター(Ic)(最大)
60A
電流-パルスコレクター(Icm)
120A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC
2V @ 15V, 30A
パワー-最大
258W
スイッチングエネルギー
300µJ (on), 960µJ (off)
入力方式
Standard
ゲートチャージ
80nC
Td(オン/オフ)@ 25°C
31.6ns/115ns
試験条件
400V, 30A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間(trr)
140ns
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247

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