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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IXFB38N100Q2

IXFB38N100Q2

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品番
IXFB38N100Q2
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXFB38N100Q2.pdf
合計:$34.41600
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$34.41600

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品番
IXFB38N100Q2
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
38A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
250 mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
5.5V @ 8mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
250nC @ 10V
Vgs（最大）
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
13500pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
890W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PLUS264™
パッケージ/ケース
TO-264-3, TO-264AA

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