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TH58NYG3S0HBAI4

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品番
TH58NYG3S0HBAI4
メーカー
Toshiba Memory America, Inc.
説明
8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$9.59000
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$9.59000

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品番
TH58NYG3S0HBAI4
メーカー
Toshiba Memory America, Inc.
説明
8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
部品ステータス
Active
メモリタイプ
Non-Volatile
メモリフォーマット
FLASH
技術
FLASH - NAND (SLC)
メモリー容量
8Gb (1G x 8)
クロック周波数
-
書き込みサイクル時間-ワード、ページ
25ns
アクセス時間
25ns
メモリインターフェース
Parallel
電圧-供給
1.7V ~ 1.95V
動作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
63-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ
63-TFBGA (9x11)

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