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DMN2011UFDE-13

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品番
DMN2011UFDE-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
DMN2011UFDE-13.pdf
合計:$0.25673
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品番
DMN2011UFDE-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
11.7A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
84nC @ 10V
Vgs(最大)
±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
3372pF @ 10V
FET機能
-
消費電力(最大)
610mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
U-DFN2020-6 (Type E)
パッケージ/ケース
6-UDFN Exposed Pad

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