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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル NVMFS5H663NLT1G

NVMFS5H663NLT1G

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品番
NVMFS5H663NLT1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
T8 60V LOW COSS
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$0.52140
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$0.52140

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品番
NVMFS5H663NLT1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
T8 60V LOW COSS
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
16.2A (Ta), 67A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
2V @ 56µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
17nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1131pF @ 30V
FET機能
-
消費電力（最大）
3.7W (Ta), 63W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN, 5 Leads

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