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SI3993DV-T1-E3

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品番
SI3993DV-T1-E3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI3993DV-T1-E3.pdf
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品番
SI3993DV-T1-E3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
2 P-Channel (Dual)
FET機能
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
1.8A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
133 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
5nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
-
パワー-最大
830mW
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ
6-TSOP

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