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RGTH00TS65GC11

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品番
RGTH00TS65GC11
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
IGBT 650V 85A 277W TO-247N
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$4.15000
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$4.15000

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品番
RGTH00TS65GC11
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
IGBT 650V 85A 277W TO-247N
部品ステータス
Active
IGBTタイプ
Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大)
650V
電流-コレクター(Ic)(最大)
85A
電流-パルスコレクター(Icm)
200A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC
2.1V @ 15V, 50A
パワー-最大
277W
スイッチングエネルギー
-
入力方式
Standard
ゲートチャージ
94nC
Td(オン/オフ)@ 25°C
39ns/143ns
試験条件
400V, 50A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間(trr)
-
動作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247N

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