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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル APT80M60J

APT80M60J

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品番
APT80M60J
メーカー
Microsemi
説明
MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$47.90900
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$47.90900

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品番
APT80M60J
メーカー
Microsemi
説明
MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
84A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
55 mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
5V @ 5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
600nC @ 10V
Vgs（最大）
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
24000pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
960W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
ISOTOP®
パッケージ/ケース
SOT-227-4, miniBLOC

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