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SI8902EDB-T2-E1

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品番
SI8902EDB-T2-E1
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI8902EDB-T2-E1.pdf
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品番
SI8902EDB-T2-E1
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
3.9A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
-
Vgs(th)(最大)@ Id
1V @ 980µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
-
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
-
パワー-最大
1W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
6-MICRO FOOT®CSP
サプライヤーデバイスパッケージ
6-Micro Foot™ (2.36x1.56)

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