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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IPI029N06NAKSA1

IPI029N06NAKSA1

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品番
IPI029N06NAKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPI029N06NAKSA1.pdf
合計:$2.11000
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$2.11000

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品番
IPI029N06NAKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
24A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
2.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
2.8V @ 75µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
56nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
4100pF @ 30V
FET機能
-
消費電力（最大）
3W (Ta), 136W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO262-3
パッケージ/ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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