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EPC2108

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品番
EPC2108
メーカー
EPC
説明
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
EPC2108.pdf
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品番
EPC2108
メーカー
EPC
説明
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
部品ステータス
Active
FETタイプ
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET機能
GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
60V, 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
1.7A, 500mA
Rds On(最大)@ Id、Vgs
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
パワー-最大
-
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
9-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ
9-BGA (1.35x1.35)

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