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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル FDMC8010ET30

FDMC8010ET30

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品番
FDMC8010ET30
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
FDMC8010ET30.pdf
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品番
FDMC8010ET30
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
30A (Ta), 174A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
1.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
94nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
5860pF @ 15V
FET機能
-
消費電力（最大）
2.8W (Ta), 65W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
Power33
パッケージ/ケース
8-PowerWDFN

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