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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル TK4A55D(STA4,Q,M)

TK4A55D(STA4,Q,M)

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品番
TK4A55D(STA4,Q,M)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N-CH 550V 4A TO-220SIS
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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品番
TK4A55D(STA4,Q,M)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N-CH 550V 4A TO-220SIS
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
550V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
4A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
1.88 Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4.4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
11nC @ 10V
Vgs（最大）
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
490pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
35W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220SIS
パッケージ/ケース
TO-220-3 Full Pack

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