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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル DMG4N65CT

DMG4N65CT

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品番
DMG4N65CT
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
DMG4N65CT.pdf
合計:$1.23000
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$1.23000

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品番
DMG4N65CT
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
13.5nC @ 10V
Vgs（最大）
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
900pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
2.19W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220-3
パッケージ/ケース
TO-220-3

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