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SIHP25N50E-GE3

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品番
SIHP25N50E-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SIHP25N50E-GE3.pdf
合計:$3.55000
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$3.55000

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品番
SIHP25N50E-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
26A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
145 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
86nC @ 10V
Vgs(最大)
±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1980pF @ 100V
FET機能
-
消費電力(最大)
250W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220AB
パッケージ/ケース
TO-220-3

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