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NTD4979N-35G

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品番
NTD4979N-35G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
NTD4979N-35G.pdf
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品番
NTD4979N-35G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
9.4A (Ta), 41A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
16.5nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
837pF @ 15V
FET機能
-
消費電力(最大)
1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
I-PAK
パッケージ/ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

の関連キーワード "NTD4979N-35G"

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