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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IPI60R190C6XKSA1

IPI60R190C6XKSA1

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品番
IPI60R190C6XKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPI60R190C6XKSA1.pdf
合計:$1.90780
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$1.90780

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品番
IPI60R190C6XKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262
部品ステータス
Not For New Designs
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
20.2A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
3.5V @ 630µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
63nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1400pF @ 100V
FET機能
-
消費電力（最大）
151W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO262-3
パッケージ/ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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