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RQ3E120GNTB

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品番
RQ3E120GNTB
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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品番
RQ3E120GNTB
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
12A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
8.8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
10nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
590pF @ 15V
FET機能
-
消費電力(最大)
2W (Ta), 16W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-HSMT (3.2x3)
パッケージ/ケース
8-PowerVDFN

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