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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル HUF75329D3ST

HUF75329D3ST

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品番
HUF75329D3ST
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$0.53838
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$0.53838

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品番
HUF75329D3ST
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
20A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
26 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
65nC @ 20V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1060pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
128W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252AA
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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