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NDD03N80Z-1G

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品番
NDD03N80Z-1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
NDD03N80Z-1G.pdf
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品番
NDD03N80Z-1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
2.9A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
4.5 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4.5V @ 50µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
17nC @ 10V
Vgs(最大)
±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
440pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
96W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
I-PAK
パッケージ/ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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