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IRF7665S2TR1PBF

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品番
IRF7665S2TR1PBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRF7665S2TR1PBF.pdf
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品番
IRF7665S2TR1PBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
62 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
5V @ 25µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
13nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
515pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.4W (Ta), 30W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
DIRECTFET SB
パッケージ/ケース
DirectFET™ Isometric SB

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