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IPB10N03LB G

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品番
IPB10N03LB G
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPB10N03LB G.pdf
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品番
IPB10N03LB G
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
50A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
9.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2V @ 20µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
13nC @ 5V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1639pF @ 15V
FET機能
-
消費電力(最大)
58W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ/ケース
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

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