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SI4599DY-T1-GE3

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品番
SI4599DY-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI4599DY-T1-GE3.pdf
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品番
SI4599DY-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
部品ステータス
Active
FETタイプ
N and P-Channel
FET機能
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
6.8A, 5.8A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
35.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
20nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
640pF @ 20V
パワー-最大
3W, 3.1W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO

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