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BSC072N03LDGATMA1

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品番
BSC072N03LDGATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BSC072N03LDGATMA1.pdf
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$0.58213

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品番
BSC072N03LDGATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FET機能
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
11.5A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
41nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
3500pF @ 15V
パワー-最大
57W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TDSON-8 Dual

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