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IPI60R165CPAKSA1

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品番
IPI60R165CPAKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 650V 21A TO-262
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPI60R165CPAKSA1.pdf
合計:$2.68458
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$2.68458

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品番
IPI60R165CPAKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 650V 21A TO-262
部品ステータス
Not For New Designs
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
21A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
165 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.5V @ 790µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
52nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2000pF @ 100V
FET機能
-
消費電力(最大)
192W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO262-3
パッケージ/ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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