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IDB30E60ATMA1

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品番
IDB30E60ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IDB30E60ATMA1.pdf
合計:$1.37373
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品番
IDB30E60ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
部品ステータス
Active
ダイオードタイプ
Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
600V
電流-平均整流(Io)
52.3A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
2V @ 30A
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr)
126ns
電流-Vrでの逆漏れ
50µA @ 600V
静電容量@ Vr、F
-
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO263-3-2
動作温度-ジャンクション
-40°C ~ 175°C

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