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1N5616US

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品番
1N5616US
メーカー
Microsemi
説明
DIODE GEN PURP 400V 1A D5A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$9.25000
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$9.25000

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品番
1N5616US
メーカー
Microsemi
説明
DIODE GEN PURP 400V 1A D5A
部品ステータス
Active
ダイオードタイプ
Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
400V
電流-平均整流(Io)
1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
1.3V @ 3A
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr)
2µs
電流-Vrでの逆漏れ
500nA @ 400V
静電容量@ Vr、F
-
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
SQ-MELF, A
サプライヤーデバイスパッケージ
D-5A
動作温度-ジャンクション
-65°C ~ 200°C

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