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IPI90N06S4L04AKSA2

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品番
IPI90N06S4L04AKSA2
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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品番
IPI90N06S4L04AKSA2
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
90A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
3.7 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.2V @ 90µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
170nC @ 10V
Vgs(最大)
±16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
13000pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
150W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO262-3-1
パッケージ/ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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