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SIZ320DT-T1-GE3

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品番
SIZ320DT-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SIZ320DT-T1-GE3.pdf
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品番
SIZ320DT-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FET機能
Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
25V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
30A (Tc), 40A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs
8.3 mOhm @ 8A, 10V, 4.24 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
パワー-最大
16.7W, 31W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
8-Power33 (3x3)

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