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IXFN50N120SK

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品番
IXFN50N120SK
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXFN50N120SK.pdf
合計:$59.66400
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1個
$59.66400

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品番
IXFN50N120SK
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
48A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
20V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
52 mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.8V @ 10mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
115nC @ 20V
Vgs(最大)
+20V, -5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1895pF @ 1000V
FET機能
-
消費電力(最大)
-
動作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-227B
パッケージ/ケース
SOT-227-4, miniBLOC

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