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EPC2110ENGRT

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品番
EPC2110ENGRT
メーカー
EPC
説明
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
EPC2110ENGRT.pdf
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品番
EPC2110ENGRT
メーカー
EPC
説明
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET機能
GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
120V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
3.4A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 700µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
0.8nC @ 5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
80pF @ 60V
パワー-最大
-
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
Die
サプライヤーデバイスパッケージ
Die

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