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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IPI70N04S406AKSA1

IPI70N04S406AKSA1

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品番
IPI70N04S406AKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3-1
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPI70N04S406AKSA1.pdf
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品番
IPI70N04S406AKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3-1
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
70A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
6.5 mOhm @ 70A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 26µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
32nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
2550pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
58W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO262-3
パッケージ/ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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