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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IXTY1R4N120PHV

IXTY1R4N120PHV

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品番
IXTY1R4N120PHV
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXTY1R4N120PHV.pdf
合計:$2.25000
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$2.25000

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品番
IXTY1R4N120PHV
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
1.4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
13 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4.5V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
24.8nC @ 10V
Vgs（最大）
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
666pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
86W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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