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SISH129DN-T1-GE3

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品番
SISH129DN-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SISH129DN-T1-GE3.pdf
合計:$0.44067
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品番
SISH129DN-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
14.4A (Ta), 35A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
11.4 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.8V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
71nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
3345pF @ 15V
FET機能
-
消費電力(最大)
3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
動作温度
-50°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® 1212-8SH
パッケージ/ケース
PowerPAK® 1212-8SH

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