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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IPS70R360P7SAKMA1

IPS70R360P7SAKMA1

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品番
IPS70R360P7SAKMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPS70R360P7SAKMA1.pdf
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$1.20000

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品番
IPS70R360P7SAKMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
700V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
12.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
360 mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
3.5V @ 150µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
16.4nC @ 10V
Vgs（最大）
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
517pF @ 400V
FET機能
-
消費電力（最大）
59.5W (Tc)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO251-3
パッケージ/ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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