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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ NVMD6N04R2G

NVMD6N04R2G

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品番
NVMD6N04R2G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$0.50096
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$0.50096

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品番
NVMD6N04R2G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FET機能
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
4.6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs
34 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
30nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
900pF @ 32V
パワー-最大
1.29W
動作温度
-
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOIC

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