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RQ3E100MNTB1

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品番
RQ3E100MNTB1
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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品番
RQ3E100MNTB1
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
部品ステータス
Not For New Designs
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
10A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
12.3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
9.9nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
520pF @ 15V
FET機能
-
消費電力(最大)
2W (Ta)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-HSMT (3.2x3)
パッケージ/ケース
8-PowerVDFN

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