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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル BSP373L6327HTSA1

BSP373L6327HTSA1

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品番
BSP373L6327HTSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BSP373L6327HTSA1.pdf
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品番
BSP373L6327HTSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
1.7A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
300 mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
-
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
550pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
1.8W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-SOT223-4
パッケージ/ケース
TO-261-4, TO-261AA

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