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IPD65R1K4C6ATMA1

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品番
IPD65R1K4C6ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH TO252-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPD65R1K4C6ATMA1.pdf
合計:$0.42319
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$0.42319

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品番
IPD65R1K4C6ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH TO252-3
部品ステータス
Not For New Designs
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
3.2A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
1.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.5V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
10.5nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
225pF @ 100V
FET機能
-
消費電力(最大)
28W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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