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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル NTR4170NT1G

NTR4170NT1G

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品番
NTR4170NT1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$0.11306
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$0.11306

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品番
NTR4170NT1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
2.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
55 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
1.4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
4.76nC @ 4.5V
Vgs（最大）
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
432pF @ 15V
FET機能
-
消費電力（最大）
480mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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