IcSeek.comへようこそ

日本語
English简体中文españolPortuguês한국의Deutschрусский
引用を要求|お問い合わせ

ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル SIHU4N80E-GE3

SIHU4N80E-GE3

SIHU4N80E-GE3 Image is for reference, Plz contact us to get the real picture
品番
SIHU4N80E-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CHAN 800V TO-251
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SIHU4N80E-GE3.pdf
合計:$2.21000
Submit a quote on large quantities or your Target Price.
目標価格（米ドル）
数量

リマーク

Vishay SIHU4N80E-GE3 ICSEEKで入手できます。私たちは、新品とオリジナルのパーツのみを販売し、1年間の保証期間を提供します。製品についてもっと知りたい、またはより良い価格を適用したい場合は、オンラインチャットをクリックするか、見積もりを送信してください。

在庫あり 42316 個

屈折価格
(米ドルで)		 1個
$2.21000

見積もりを再引用

品番
SIHU4N80E-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CHAN 800V TO-251
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
4.3A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
1.27 Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
32nC @ 10V
Vgs（最大）
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
622pF @ 100V
FET機能
-
消費電力（最大）
69W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
IPAK (TO-251)
パッケージ/ケース
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

の関連キーワード "SIHU4N80E-GE3"

おすすめ商品

  1. V110B28M200B3

    V110B28M200B3DC DC CONVERTER 28V 200W

  2. V110B36C200B

    V110B36C200BDC DC CONVERTER 36V 200W

  3. VI-25F-EV-F2

    VI-25F-EV-F2DC DC CONVERTER 72V 150W

  4. VI-J3H-IZ-F2

    VI-J3H-IZ-F2DC DC CONVERTER 52V 25W

  5. VI-2NK-IV-F1

    VI-2NK-IV-F1DC DC CONVERTER 40V 150W

  6. V48B2T100BF2

    V48B2T100BF2DC DC CONVERTER 2V 100W

  7. VI-20F-CX-F2

    VI-20F-CX-F2DC DC CONVERTER 72V 75W

  8. VI-2NF-IV-B1

    VI-2NF-IV-B1DC DC CONVERTER 72V 150W

  9. PAH150S48-3.3/V

    PAH150S48-3.3/VDC DC CONVERTER 3.3V 150W

  10. V150B28E250B2

    V150B28E250B2DC DC CONVERTER 28V 250W

関連部品 SIHU4N80E-GE3

アドレス：No.1117ブロックC、電気＆技術ビル、華強北福田区。シンセン、GD 518031中国 電話：0086-755-23904475 電子メール：[email protected]
©2020 ICSEEK Components Limited All Rights Reserved