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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル BUK662R4-40C,118

BUK662R4-40C,118

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品番
BUK662R4-40C,118
メーカー
Nexperia
説明
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BUK662R4-40C,118.pdf
合計:$1.01569
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品番
BUK662R4-40C,118
メーカー
Nexperia
説明
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
120A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
2.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
2.8V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
199nC @ 10V
Vgs（最大）
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
11334pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
263W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
D2PAK
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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