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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル FDV303N

FDV303N

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品番
FDV303N
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
FDV303N.pdf
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品番
FDV303N
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
680mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
2.7V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
2.3nC @ 4.5V
Vgs（最大）
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
50pF @ 10V
FET機能
-
消費電力（最大）
350mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23
パッケージ/ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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