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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル STP4NB100

STP4NB100

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品番
STP4NB100
メーカー
STMicroelectronics
説明
MOSFET N-CH 1KV 3.8A TO-220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
STP4NB100.pdf
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品番
STP4NB100
メーカー
STMicroelectronics
説明
MOSFET N-CH 1KV 3.8A TO-220
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
3.8A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
4.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
45nC @ 10V
Vgs（最大）
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1400pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
125W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220AB
パッケージ/ケース
TO-220-3

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