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EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

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品番
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR
メーカー
Micron Technology
説明
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR.pdf
合計:$5.19638
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品番
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR
メーカー
Micron Technology
説明
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
部品ステータス
Active
メモリタイプ
Volatile
メモリフォーマット
DRAM
技術
SDRAM - Mobile LPDDR2
メモリー容量
512Mb (16M x 32)
クロック周波数
533MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ
-
アクセス時間
-
メモリインターフェース
Parallel
電圧-供給
1.14V ~ 1.95V
動作温度
-40°C ~ 105°C (TC)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
134-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ
134-VFBGA (10x11.5)

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